SAMSUNG三星850 PRO企業級固態硬碟(1TB)(MZ-7KE1T0BW)
SAMSUNG三星850 PRO企業級固態硬碟(1TB)

什麼是 V-NAND,它與現有技術有什麼不同?

Samsung 3D V-NAND 快閃記憶體使用出色的垂直體系結構,由 32 個單元層相互堆疊而成,取代了試圖通過縮小每個單元的長度和寬度來適應當前日趨小型化外形的舊有做法。利用這一技術,硬碟佔用面積更小,密度更緊湊且性能更高,並突破了傳統的平面 NAND 架構的密度限制。

使用業界先進的 3D V-NAND SSD 大幅提高性能

NAND 快閃記憶體採用 Samsung 先進的 3D V-NAND 技術,無論是順序讀寫還是隨機讀寫,都能盡享出色性能。128 GB 機型在這方面的性能尤為突出*,其寫入速度比市場上同類機型快 80 MB/秒以上。

* 850 PRO 128 GB Sequential Write speed: 470 MB/s

增強的 RAPID mode,迅速切換到高速檔位

無論是哪個容量的機型,都可以利用 RAPID mode 迅速提升讀取/寫入性能。正如在開車時換檔一樣,Magician 軟體為您提供了通過在系統級處理資料來提高性能的選項,該選項使用空閒 PC 記憶體 (DRAM) 作為快取記憶體,在 RAPID 模式下可將速度提高 1.8 倍*。
* PCMark Vantage score (512 GB): 53K > 97K(in RAPID mode)

堅固耐用的 SSD,時刻為您提供支援

850 PRO 的耐久性和可靠性是普通 NAND 快閃記憶體 SSD 的兩倍*,將一直陪伴您工作和生活的每分每秒。Samsung 的 V-NAND 技術設計能夠處理每天 40 GB 的工作負荷,等同於寫入 150 TB (TBW),確保 SSD 具有較長的使用壽命。此外,我們還提供業界先進的 10 年有限保修。
* 840 PRO: 73 TBW > 850 PRO: 150 TBW

創新的高效能源管理技術,延長工作時間

借助 850 PRO 中的高效能源管理元件,您可以延長工作時間並提高工作效率。850 PRO 滿負荷工作時消耗的能量是所有 SSD 中最低的,在降低能耗的同時保持了市場先進的性能。850 PRO 完全支持 Ultrabook? 的休眠模式,休眠能耗僅為 2 毫瓦。此外,LPDDR2 快取記憶體提供更高的性能,與普通 DDR2 或 DDR3 記憶體相比,在工作時的能耗不到後者的 30%,閒置時的能耗不到後者的 93%。

在不犧牲性能的情況下保護寶貴的資料

當您攜帶筆記型電腦外出時,850 PRO 的 SED 技術可保護您的 PC 硬體和個人資料。光碟機提供 AES 256 位元基於硬體的全盤加密引擎,該加密引擎在保護資料安全時不會導致性能下降,而基於軟體的加密通常會導致性能下降。 850 PRO 的高級安全設置遵循 TCG? Opal 2.0 版標準,保護 PSID 並與 Microsoft? eDrive IEEE? 1667 協議相容。此外,您可以使用加密擦除服務來擦除或初始化資料。  

使用 動態散熱 保護技術,防止 PC 過熱

850 PRO 提供 動態散熱(Dynamic Thermal Guard) 保護技術,可防止因為過熱而降低 PC 性能。動態散熱保護技術通過降溫功能監控和維護光碟機的工作溫度,該功能在必要時會自動降低 SSD 的溫度,從而起到保護資料的作用,並能確保電腦達到理想的回應速度。  

輕鬆升級到 850 PRO

使用 一站式安裝導航(One-stop Install Navigator) 軟體,您可以快捷地將 SSD 或 HDD 中的所有資料遷移到 850 PRO。自動安裝(Auto Install) 指南會引導您完成安裝流程。 此外,您可以使用 Samsung Magician 軟體輕鬆監控、管理和維護 850 PRO,該軟體提供的工具可幫助您更大程度提高硬碟性能,此類工具包括基準性能測試、高級作業系統優化、磁片運行狀態跟蹤和預留空間 (OP) 設置。

確保每個元件無縫協同工作

Samsung 是少數自己設計所有 SSD 元件的廠商之一,在 SSD 市場上擁有豐富的經驗。Samsung 熟悉每個元件及其部件,能夠在開發的每個階段微調這些元件,確保它們高效配合。精工細作,結果自然令人滿意:850 PRO 性能更加出色,採用高達 1 GB 的 LPDDR2 DRAM 快取記憶體降低能耗,採用 3 核 MEX 控制器提高能效。  

規格參數

 

容量512GB

外形2.5 英寸

介面SATA 6Gb/s (相容 SATA 3Gb/s 及 SATA 1.5Gb/s)

尺寸 (WxHxD)100 x 69.85 x 6.8mm

重量最大 66g (1TB)

NAND快閃記憶體三星 32 層 3D V-NAND

控制器三星 3 核 MEX 控制器

快取記憶體512MB (256GB&512GB) LPDDR2

TRIM 支援支援 (需要作業系統支援)

S.M.A.R.T支持

垃圾回收支持

NAND 快閃記憶體三星 32 層 3D V-NAND

抗震性非運行:1500G , 持續0.5毫秒, 3 軸

振動非運行:20~2000Hz, 20G

特殊功能

TRIM 支援支援(需要作業系統支援)

S.M.A.R.TS.M.A.R.T Supported

垃圾回收支持

安全AES 256位全盤加密 (FDE)TCG/Opal V2.0, 加密硬碟 (IEEE1667

性能特點

順序讀取最大 550 MB/s

順序寫入最大 520 MB/s

4KB 隨機讀取(QD32):最大 100,000 IOPS

4KB 隨機寫入(QD32):最大 90,000 IOPS

4KB 隨機讀取 (QD1):最大 10,000 IOPS

4KB 隨機寫入(QD1):最大 36,000 IOPS

環境

可靠性平均故障間隔時間:2,000,000小時

運行溫度運行:0°C 至 70°C
非運行:-40°C 至 85°C

濕度5% 至 95%, 不凝結

保修10年或300TBW

電源功耗動態讀取 (平均): 最大 3.3W(1TB)
動態寫入(平均): 最大 3.0W(1TB)
待機功耗: 最大 0.4W
設備睡眠: 2mW


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產品資訊 品牌: SAMSUNG           型號:MZ-7KE1T0BW
訂購編號:#A14337     條碼/廠家型號 :F #MZ-7KE1T0BW
銷售情形 產品已暫停 / 停止銷售
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更新時間:2018/1/14 上午 01:07:00

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